红外发光二极管外延片及其制备方法
授权
摘要
本公开提供了红外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型AlGaAs限制层与多量子阱层之间增加第一应力调整层，应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格，第一应力调整层生长时会积累张应力，张应力会被多量子阱层的压应力抵消，最终得到的多量子阱层中的压应力较少，提高多量子阱层的晶体质量以提高发光效率。在第一应力调整层包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格时，第一AlGaAsP/GaInP超晶格本身生长过程中也会释放一定的应力，多量子阱层以下的底层结构的质量较好，可以进一步提高多量子阱层的晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
红外发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113224213A
申请号 ：
CN202110288849.3
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2021-03-18
授权号 ：
CN113224213B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
邢振远李彤王世俊曹敏孙建建
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110288849.3
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20210318
申请日 : 20210318
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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