红外发光二极管外延片及其制备方法
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摘要
本公开提供了红外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。制备红外发光二极管外延片时，生长外延层的衬底选用半绝缘砷化镓衬底，可以避免衬底导电。在半绝缘砷化镓衬底上依次生长的第一本征GaAs层、p型GaAs层与第二本征GaAs层，整体的导电性较弱；且第一本征GaAs层与第二本征GaAs层之间的p型GaAs层，可以起到消耗电子的作用，对电流起到阻挡作用，减小漏电电流直接流至半绝缘砷化镓衬底的情况出现。保证电流在红外发光二极管外延层的外延层中稳定流动，保证最终得到的发光二极管外延片的稳定使用。
基本信息
专利标题 ：
红外发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161458A
申请号 ：
CN202110104663.8
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2021-01-26
授权号 ：
CN113161458B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李彤王世俊邢振远
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110104663.8
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/06 H01L33/00
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法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20210126
申请日 : 20210126
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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