一种半导体外延结构及其应用
授权
摘要
本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板；第一氮化铝层，形成于所述基板上；第一氮化镓层，形成于所述氮化铝层上；第二氮化铝层，形成于所述第一氮化镓层上；以及第二氮化镓层，形成于所述第二氮化铝层上。通过本实用新型提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体外延结构及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202023135186.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-21
授权号 ：
CN214588890U
授权日 ：
2021-11-02
发明人 ：
陈卫军刘美华
申请人 ：
深圳市晶相技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱艳
优先权 ：
CN202023135186.1
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L27/15
法律状态
2021-11-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
