一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法，其中晶圆级芯片结构，包括：贯穿晶圆的硅通孔，其第一表面包括：有源区、多层再分布线层以及凸点，其第二表面包括：绝缘介质层，以及与硅通孔相连接的锥台过渡结构。本发明实施例在晶圆背面TSV露头区域与UBM之间引入锥台型阻抗过渡结构，使TSV与UBM之间实现阻抗匹配，改善了因阻抗突变引起的信号畸变问题，和传统方案相比，为了实现本方案的锥台型过渡结构，并未增加光罩数量，而仅在原有工艺基础上，增加一步光刻工艺以及一步反应离子刻蚀工艺，工艺流程并不复杂。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111554647A
申请号 ：
CN202010426007.5
公开（公告）日 ：
2020-08-18
申请日 ：
2020-05-19
授权号 ：
CN111554647B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
严阳阳曹立强孙鹏陈天放戴风伟
申请人 ：
上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区创新西路778号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘静
优先权 ：
CN202010426007.5
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/485 H01L21/768 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-09-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20200519
申请日 : 20200519
2020-08-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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