芯片晶圆的堆叠方法
公开
摘要
本发明提供一种芯片晶圆的堆叠方法，包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底、位于所述衬底上的介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；形成键合层，所述键合层覆盖所述介质层；从所述待处理晶圆上拾取待键合的芯片，将所述待键合的芯片排列在静电吸盘上；将所述静电吸盘上排列后的所述芯片作为一个整体与所述待键合的晶圆键合。将所有待键合的芯片预先排列在静电吸盘上，将所述静电吸盘上排列后的所述芯片作为一个整体与所述待键合的晶圆键合，可极大减少活化后，芯片与晶圆键合的等待时间，降低活化失效的风险。将所有待键合的芯片预先排列在静电吸盘上，然后作为一个整体进行键合的方式比在键合的同时进行排列分布效率更高。
基本信息
专利标题 ：
芯片晶圆的堆叠方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628240A
申请号 ：
CN202011452333.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈坦林郭万里刘天建
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202011452333.X
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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