一种封装壳体的制作方法、封装壳体

授权

摘要

本申请提供一种封装壳体的制作方法、封装壳体，半导体模块的制作方法以及半导体模块。所述封装壳体的制作方法包括：获取一电路板，制作与所述电路板的尺寸相同的第一模具以及与所述半导体元器件的尺寸相同的第二模具；将第一金属粉末放进所述第一模具中以及将第二金属粉末放进所述第二模具中；将包含所述第二金属粉末的第二模具放置于所述第一模具中；对所述第一金属粉末以及所述第二金属粉末施加高温、高压，进而形成封装壳体。在本申请实施例中，通过将与半导体元器件相匹配的金属材料设置在封装壳体上与半导体元器件对应的位置，使得封装壳体能够满足半导体元器件导热、膨胀等要求，提高了封装好的半导体器件的稳定性。

基本信息

专利标题：

一种封装壳体的制作方法、封装壳体

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111584371A

申请号：

CN202010451836.9

公开（公告）日：

2020-08-25

申请日：

2020-05-25

授权号：

CN111584371B

授权日：

2022-04-01

发明人：

邹本辉

申请人：

苏州融睿电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市太仓市浮桥镇陆公路1号

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

唐正瑜

优先权：

CN202010451836.9

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48 H01L21/52 H01L23/06 H01L23/10

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/48

应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器

法律状态

2022-04-01 ：

授权

2020-09-18 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20200525

2020-08-25 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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