一种晶圆级封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆级封装结构，包括：晶圆，晶圆包括层叠设置的衬底和功能层，功能层远离衬底的第一表面和与衬底接触的第二表面均设置有焊盘；衬底形成有至少一个穿透衬底的导电通孔，至少一个导电通孔与功能层第二表面的焊盘电连接；功能层的第一表面和衬底远离功能层的第一表面均具有电性导出结构。本实用新型实施例提供的晶圆级封装结构，通过在晶圆功能层的第一表面和第二表面设置焊盘，在晶圆衬底制作至少一个导电通孔，并利用导电通孔将功能层第二表面焊盘的电性导出晶圆，从而使得晶圆上下表面均可以与外界芯片或电路板等实现电性连接，解决了现有技术中单面布线的晶圆在三维封装中需要额外进行打线，增加制作工艺的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆级封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921106679.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-15
授权号 ：
CN210136865U
授权日 ：
2020-03-10
发明人 ：
张凯曹立强
申请人 ：
上海先方半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区创新西路778号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
张琳琳
优先权 ：
CN201921106679.7
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-03-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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