光学装置的晶圆级制造
公开
摘要
本文描述的各方面包括一种方法，该方法包括：将光子晶圆与电子晶圆进行接合以形成晶圆组件；去除晶圆组件的衬底以暴露光子晶圆或电子晶圆的表面；在光子晶圆的金属层与电子晶圆的金属层之间形成电连接；以及通过在所暴露的表面处将中介层晶圆与晶圆组件进行接合来将中介层晶圆添加至晶圆组件。中介层晶圆包括与光子晶圆和电子晶圆中的一者或两者的金属层电耦合的贯穿过孔。该方法还包括切割晶圆组件以形成多个管芯。每个管芯的相应边缘耦合器在通过切割形成的界面处被光学暴露。
基本信息
专利标题 ：
光学装置的晶圆级制造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616655A
申请号 ：
CN202080074592.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桑德普·拉兹丹维普尔库马尔·K·帕特尔马克·A·韦伯斯特马修·J·特拉弗索
申请人 ：
思科技术公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨佳婧
优先权 ：
CN202080074592.5
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/60 H01L23/48 H01L23/488 H01L21/768 H01L21/78 G02B6/12 G02B6/122 G02B6/13 G02B6/30 G02B6/42 G02B6/43
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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