一种芯片封装散热结构
授权
摘要

本实用新型公开一种芯片封装散热结构,属于集成电路封装技术领域。该封装散热结构包括硅衬底、散热槽、芯片槽、芯片、插入层和焊球。散热槽刻蚀在硅衬底正面,芯片槽刻蚀在硅衬底背面,并且散热槽和芯片槽相连通,散热槽中填充有电镀金属;芯片粘贴在芯片槽中,并且芯片背面与芯片槽底面平齐,正面与芯片槽的开口面平齐;插入层制作在硅衬底的底部,焊球制作在插入层的表面。本实用新型使用晶圆级封装工艺制造,通过在封装上制造散热槽并填充金属作为散热结构,使散热结构与芯片背面接触,形成直接散热通道,降低热阻,扩大散热面积,可以有效提高散热效率,提高芯片封装可靠性。

基本信息
专利标题 :
一种芯片封装散热结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020639167.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-24
授权号 :
CN211629078U
授权日 :
2020-10-02
发明人 :
王刚夏晨辉李杨王成迁朱家昌浦杰王波
申请人 :
中科芯集成电路有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区04-6地块(滴翠路100号)9幢2层
代理机构 :
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨立秋
优先权 :
CN202020639167.3
主分类号 :
H01L23/31
IPC分类号 :
H01L23/31  H01L23/498  H01L23/367  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装,例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-10-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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