导电薄膜、光电半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种导电薄膜、光电半导体装置及其制造方法。导电薄膜与至少一微尺寸半导体组件及矩阵衬底配合应用，矩阵衬底具有衬底及矩阵电路，矩阵电路设置在衬底上，导电薄膜包括第一膜层以及第二膜层。第一膜层设置在矩阵电路上，并具有多个导电粒子与绝缘材料，这些导电粒子混合在绝缘材料中。第二膜层为绝缘层并设置在第一膜层上；其中，至少部分微尺寸半导体组件位于导电薄膜内，并具有至少一电极，电极通过部分这些导电粒子在矩阵衬底的垂直方向上与矩阵电路电气连接。
基本信息
专利标题 ：
导电薄膜、光电半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110047990A
申请号 ：
CN201811298368.5
公开（公告）日 ：
2019-07-23
申请日 ：
2018-11-02
授权号 ：
CN110047990B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
陈显德
申请人 ：
优显科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北市信义区忠孝东路5段1之1号13楼
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵志刚
优先权 ：
CN201811298368.5
主分类号 ：
H01L33/62
IPC分类号 ：
H01L33/62 H01L27/15
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-01-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/62
申请日 : 20181102
申请日 : 20181102
2019-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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