层叠薄膜以及半导体装置的制造方法
公开
摘要
本发明涉及层叠薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明的层叠薄膜层叠有间隔用粘接薄膜和切割带，所述间隔用粘接薄膜层叠有间隔层和粘接剂层，前述间隔层由树脂薄膜构成，该间隔层在温度260℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
基本信息
专利标题 ：
层叠薄膜以及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520180A
申请号 ：
CN202111355278.7
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木村雄大吉田直子高本尚英杉村敏正中浦宏
申请人 ：
日东电工株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111355278.7
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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