一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管
授权
摘要
本实用新型提出了一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管，包括：第一导电类型的碳化硅衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区，设置于该衬底上；具有第二导电类型的电流分布层设置于该漂移区上；具有第一导电类型的第一阱区设置于该电流分布层上；具有第二导电类型的第二阱区设置于第一阱区上；具有第一导电类型的基区设置于第二阱区上；具有第二导电类型的第一接触源极区设置于基区并且与该发射极接触区相邻但相隔开；该发射极接触区、第一接触源极区与第二接触源极区；多个沟槽形成于基区并垂直延伸至漂移区中；栅极，设置于衬底上方相应的每一个沟槽中，包括于相应沟槽内的侧壁形成栅极绝缘层，并以多晶硅填充。
基本信息
专利标题 ：
一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020458163.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN213124445U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
戴茂州高巍廖运健
申请人 ：
成都蓉矽半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
代理机构 ：
北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩登营
优先权 ：
CN202020458163.5
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/06 H01L29/423 H01L29/739
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
