一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管
著录事项变更
摘要
本实用新型提供了一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管，由金氧半场效晶体管、达林顿功率管和碳化硅二极管封装而成。碳化硅二极管几乎没有反向恢复时间，可以将电路的损耗降到最低，以解决现有的中大功率电源电路转换效率低的技术问题，适用于高效率的PFC电路，具有极高的经济价值，可应用100KHz以下的频率，拓宽了应用范围与应用场景。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021235556.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN212725303U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
殷长明杨小春
申请人 ：
深圳市瀚强科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村宝能科技园7栋7层B座GHIJKLM单位
代理机构 ：
深圳市智胜联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
齐文剑
优先权 ：
CN202021235556.6
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L29/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2021-04-27 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 25/18
变更事项 : 发明人
变更前 : 殷长明 杨小春
变更后 : 杨小春
变更事项 : 发明人
变更前 : 殷长明 杨小春
变更后 : 杨小春
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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