在半导体存储器件中的电路线布线及布线方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种改进的电路线布线，在靠近半导体存储器件的存储单元区的外围电路区中提供平滑的电路线，并消除写速度限制因素。形成待连接到栅极层的金属(代替金属硅化多晶硅)线路层，以传送电信号到形成在外围电路区中的FET(例如，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管))晶体管的栅极；该金属线路层形成(例如，通过一个金属镶嵌工艺)在与形成在栅极层(例如，通过另一金属镶嵌工艺)上的字线层不同的层上，因此获得具有减小的面积且不使用硅化物工艺的外围电路区的布线。
基本信息
专利标题 ：
在半导体存储器件中的电路线布线及布线方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790721A
申请号 ：
CN200510120246.3
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁香子李松子
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510120246.3
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L27/11 H01L23/522 H01L21/8239 H01L21/8244 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2015-12-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101639681868
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101202463
申请日 : 20051107
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20141107
号牌文件序号 : 101639681868
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101202463
申请日 : 20051107
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20141107
2009-05-06 ：
授权
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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