电荷陷入式存储单元的操作方法以及电荷陷入式集成电路
授权
摘要
一种具有可储存多个位的电荷陷入结构的存储单元。一个高临界偏压配置会施加在存储单元的电荷陷入结构的一部分上以储存高临界状态，且一个低临界偏压配置会施加在电荷陷入结构的其它部分上以提高其临界电压来储存低临界状态，但并不超过低临界状态的最高临界电压，以降低存储单元不同部分之间的读取干扰效应。在另一个电荷陷入式存储单元中，当一个高临界偏压配置施加在存储单元上以储存较高临界状态时，该偏压配置试图使存储单元的电荷陷入结构的所有部分储存较高临界状态。当一个低临界偏压配置施加在存储单元上以储存较低临界状态时，该偏压配置试图使存储单元的电荷陷入结构的所有部分储存较低临界状态，但并不超过低临界状态的最高临界电压。
基本信息
专利标题 ：
电荷陷入式存储单元的操作方法以及电荷陷入式集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797772A
申请号 ：
CN200510114468.4
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴昭谊
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
包红健
优先权 ：
CN200510114468.4
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L21/8247 G11C16/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2010-10-06 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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