具有多层掺杂层的电荷陷阱存储单元和利用该存储单元的存储阵...
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摘要
本发明涉及一种在有源区域具有多层掺杂层的电荷陷阱闪存单元和利用该闪存单元的存储阵列及其操作方法。本发明的电荷陷阱存储单元和已知技术相比所具备的特征是其有源区域内适当形成多层掺杂层。并且，和源区及漏区形成PN结的部分，将通过所述多层掺杂层诱导电子进行带间穿隧，并于预定的负偏置电压条件下，加速所述隧穿电子，从而产生雪崩现象。由此，本发明的存储阵列通过把所述雪崩现象中所生成的正孔注入到每个存储单元的多层介电层的方式进行程序化操作；而进行擦除操作时，则采取通过FN隧穿方式把通道中的电子注入到每个单元的多层介电层中的方式。
基本信息
专利标题 ：
具有多层掺杂层的电荷陷阱存储单元和利用该存储单元的存储阵列及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832202A
申请号 ：
CN200610004708.X
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈载星朴炳国李钟德金桢雨
申请人 ：
财团法人SEOUL大学校产学协力财团;三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200610004708.X
主分类号 ：
H01L29/792
IPC分类号 ：
H01L29/792 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247 G11C16/02
法律状态
2010-05-12 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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