陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝■■陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和不同类型的陷阱的分离检测问题。这种谱峰分析技术在测量精度和录■度方面比现有检测方法和设备高，而且具有直观、方便的特点，对VLSI电路和器件的可靠性和使用寿命的研究具有重要的意义。
基本信息
专利标题 ：
陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058275A
申请号 ：
CN90104535.7
公开（公告）日 ：
1992-01-29
申请日 ：
1990-07-17
授权号 ：
CN1018953B
授权日 ：
1992-11-04
发明人 ：
谭长华许铭真王阳元张晖刘晓卫王永顺
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
100871北京市海淀区中关村
代理机构 ：
北京大学专利事务所
代理人 ：
郑胜利
优先权 ：
CN90104535.7
主分类号 ：
G01R29/24
IPC分类号 ：
G01R29/24 G01R31/26 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R29/00
不包括在G01R19/00至G01R27/00各组中的电量的测量或指示装置
G01R29/24
电荷电量的测量装置
法律状态
2009-09-16 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-06-09 ：
授权
1992-11-04 ：
审定
1992-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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