制造用于高级逻辑运算的电荷陷阱TFET半导体器件的方法
公开
摘要
一种电荷陷阱隧穿场效应晶体管(TFET)包括限定电荷俘获层的多个电介质材料层。p掺杂源极/漏极区和n掺杂源极区经由纳米沟道进行连接，该纳米沟道形成在该多个电介质层之间，从而形成电荷陷阱TFET。
基本信息
专利标题 ：
制造用于高级逻辑运算的电荷陷阱TFET半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586154A
申请号 ：
CN202080072169.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马克·I·加德纳H·吉姆·富尔福德安东·德维利耶
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘雯鑫
优先权 ：
CN202080072169.1
主分类号 ：
H01L27/11578
IPC分类号 ：
H01L27/11578 H01L29/06 H01L29/792
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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