瞬态电荷测量系统
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于半导体测量技术，适用于半导体电学特性及绝缘体/并导体界面电学特性的测量。由于采用了脉冲电荷法新的测量技术，及由放大器、采样电路、积分器、反馈元件依次连接而成的新型漏电补偿反馈电路，并加入了微机控制，使本发明成为集“时域模式”、“瞬态电荷测量”及“漏电补偿”这样三个各有显著优点的因素于一体的实用测量系统，可以取代多种现有测量方法及装置，并能测量薄栅介质及漏电较大的MOS或MIS样品，可获取全部信息，且具有测量精度高等优点。
基本信息
专利标题 ：
瞬态电荷测量系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1063557A
申请号 ：
CN91100410.6
公开（公告）日 ：
1992-08-12
申请日 ：
1991-01-24
授权号 ：
CN1023347C
授权日 ：
1993-12-29
发明人 ：
郑心畲李志坚孙曦庆
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
100084北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
胡兰芝
优先权 ：
CN91100410.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
1996-03-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-12-29 ：
授权
1992-09-23 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-08-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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