具抹除抑制能力的多次编程存储单元及其存储单元阵列
授权
摘要
一种多次编程存储单元，包括一浮动栅晶体管、一第一电容器、一第二电容器与一第三电容器。浮动栅晶体管具有一浮动栅极。浮动栅晶体管的一第一端耦接至一源极线。浮动栅晶体管的一第二端耦接至一位线。第一电容器的一第一端连接至浮动栅极。第一电容器的一第二端连接至一抹除线。第二电容器的一第一端连接至浮动栅极。第二电容器的一第二端连接至一控制线。第三电容器的一第一端连接至浮动栅极。第三电容器的一第二端连接至一抑制线。
基本信息
专利标题 ：
具抹除抑制能力的多次编程存储单元及其存储单元阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111326192A
申请号 ：
CN201911120673.X
公开（公告）日 ：
2020-06-23
申请日 ：
2019-11-15
授权号 ：
CN111326192B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
陈志欣
申请人 ：
力旺电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李芳华
优先权 ：
CN201911120673.X
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/10 G11C16/14 G11C16/24 H01L27/11519 H01L27/11521
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-07-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/04
申请日 : 20191115
申请日 : 20191115
2020-06-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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