在存储器编程期间斜变抑制电压
授权
摘要
抑制电压是被施加到邻近于使存储器单元在程序操作期间写入的程序字线的字线的电压。可以在程序脉冲期间斜升用于程序操作的抑制电压。作为施加导致初始升压通道电势由于泄露而急剧地减少的恒定的高抑制电压的替代，系统可以更低地开始使抑制电压并在程序脉冲期间斜升抑制电压。斜升可以是在程序脉冲期间的持续斜变或处于有限离散步骤。这样的抑制电压的斜变可以提供程序干扰和抑制干扰之间的更好的权衡。
基本信息
专利标题 ：
在存储器编程期间斜变抑制电压
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107886988A
申请号 ：
CN201810022406.8
公开（公告）日 ：
2018-04-06
申请日 ：
2015-03-27
授权号 ：
CN107886988B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
S.拉瓦德P.卡拉瓦德N.米尔克K.帕拉特S.S.拉胡纳桑
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
徐红燕
优先权 ：
CN201810022406.8
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/34
申请日 : 20150327
申请日 : 20150327
2018-04-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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