悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种SON MOSFET及其制造方法，其中在硅基板内形成有气泡，进而同时改进晶块结构和绝缘体上硅(SOI)结构的缺陷。根据本发明的SON MOSFET包括形成在硅基板顶部两侧上的隔离绝缘膜，顺序形成在隔离绝缘膜之间的硅基板表面上的栅极绝缘膜和栅极，形成在栅极绝缘膜和隔离绝缘膜之间的硅基板上源极区和漏极区，形成在栅极绝缘膜下方硅基板内的气泡，以及气泡、源极区和漏极区围绕的置于硅基板内的硅沟道，其中气泡由氢或氦离子形成。
基本信息
专利标题 ：
悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835248A
申请号 ：
CN200610002371.9
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔梁圭张东润
申请人 ：
韩国科学技术院
申请人地址 ：
韩国大田市
代理机构 ：
北京中安信知识产权代理事务所
代理人 ：
张小娟
优先权 ：
CN200610002371.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
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法律状态
2009-02-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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