一种深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管包括垂直相交的深沟槽和浅沟槽，深沟槽和浅沟槽侧壁和底部均生长有一层氧化层，内部填充有多晶硅。本实用新型提出了一种立体的三维结构来实现高击穿电压，低开启电压的特性。包括垂直相交的深浅沟槽，整个沟槽制备过程无需增加光刻板以及多次淀积、刻蚀去实现沟槽内部复杂的构造，制备流程更简洁，工艺更易控制。
基本信息
专利标题 ：
一种深浅沟槽的金属氧化物半导体场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921015706.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-02
授权号 ：
CN210837711U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
代萌李承杰顾嘉庆
申请人 ：
上海格瑞宝电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路560号904室
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
南霆
优先权 ：
CN201921015706.X
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/8236 H01L27/088
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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