一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体集成电路技术领域，包括NMOS管A、自偏置PMOS管B、NMOS管C，NMOS管A的N+漏区与NMOS管C的N+源区通过金属互连，NMOS管A的N+源区与PMOS管B的P+漏区相连，二者通过金属短接作为本实用新型器件的阴极，与上述阴极金属相连的多晶硅作为PMOS管B的栅极，传统硅横向绝缘栅双极型晶体管的阳极作为本实用新型器件的阳极，本实用新型与现有技术的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管相比，在相等的导通压降情况下，具有更大的电流密度，更小的导通损耗和芯片面积，解决了现有技术中出现的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922134203.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN210723040U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
田涛张营
申请人 ：
济宁学院
申请人地址 ：
山东省济宁市高新区海川路16号济宁高新区大学园
代理机构 ：
青岛发思特专利商标代理有限公司
代理人 ：
丁鹏鹏
优先权 ：
CN201922134203.0
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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