一种亚微米异质结构的薄膜晶体管

授权

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种亚微米异质结构的薄膜晶体管，包括有衬底及与衬底连接的栅极，衬底及栅极连接绝缘层，绝缘层连接有源层，有源层连接源漏极金属层，其中，有源层为亚微米间隙层覆盖材料后形成的周期性异质结构。本实用新型的晶体管通过栅极调控，可以增大晶体管的开电流，降低晶体管的关电流，提高晶体管性能。

基本信息

专利标题：

一种亚微米异质结构的薄膜晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920619779.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-30

授权号：

CN209929315U

授权日：

2020-01-10

发明人：

刘川胡素娟黄凯荣陈子豪吴进

申请人：

中山大学

申请人地址：

广东省广州市海珠区新港西路135号

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司

代理人：

陈伟斌

优先权：

CN201920619779.3

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/34 H01L29/10 H01L29/24