石墨基板
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摘要

本公开提供了一种石墨基板,属于半导体技术领域。所述石墨基板的上表面具有用于容纳衬底的多圈凹槽,每圈所述凹槽均包括沿所述石墨基板的周向布置的多个凹槽,所述石墨基板的上表面层叠铺设有至少一层凸起,每层所述凸起均为圆形,且每层所述凸起的外周壁均呈波纹状,所述至少一层凸起与所述石墨基板同轴,且所述至少一层凸起的直径小于所述石墨基板的直径,所述至少一层凸起铺设在所述石墨基板的上表面以及所述多个凹槽的槽底和槽壁上。在本公开提供的石墨基板上生长外延片,可以使得外延片各个区域的发光波长一致,从而可以提高外延片的片内均匀性,保证边缘良率。

基本信息
专利标题 :
石墨基板
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113652743A
申请号 :
CN202110710611.5
公开(公告)日 :
2021-11-16
申请日 :
2021-06-25
授权号 :
CN113652743B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
葛永晖梅劲肖云飞陆香花陈张笑雄
申请人 :
华灿光电(浙江)有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
吕耀萍
优先权 :
CN202110710611.5
主分类号 :
C30B25/12
IPC分类号 :
C30B25/12  C30B25/18  C30B28/14  C30B29/40  H01L21/673  H01L33/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2022-06-14 :
授权
2021-12-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/12
申请日 : 20210625
2021-11-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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