一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法
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摘要
本发明涉及陶瓷基板的制备领域，提供一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法，解决现有技术的氮化铝基板热导率低、表面不平整及生产效率不高的缺陷，包括以下制备步骤：1)准备原材料：以氮化铝粉体为主原料，以Y2O3、CaF2为烧结助剂；2)球磨；3)脱泡；4)流延；5)冲片：送入冲片机进行冲片分切；6)等静压：将分切后的坯体送入等静压机进行等静压处理，所述等静压的压力为10－14MPa，温度为80－90℃；7)电动敷粉；8)调解挡板位置；9)排胶；10)石墨炉烧结；11)研磨、激光、清洗处理。
基本信息
专利标题 ：
一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112898028A
申请号 ：
CN202110194661.2
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2021-02-21
授权号 ：
CN112898028B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
杨大胜施纯锡冯家伟
申请人 ：
福建华清电子材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号
代理机构 ：
泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赖开慧
优先权 ：
CN202110194661.2
主分类号 ：
C04B35/581
IPC分类号 ：
C04B35/581 C04B35/622 C04B35/64 B28B1/29 B28B3/00 B28B11/06 B28B17/00
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
C04B35/581
以氮化铝为基料的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/581
申请日 : 20210221
申请日 : 20210221
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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