类单晶晶体品质评估方法及系统
公开
摘要
本发明公开了一种类单晶晶体品质评估方法及系统，该方法包括：获取类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个头料和多个尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据头部检测结果和尾部检测结果对类单晶晶体品质进行评估。本发明采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。
基本信息
专利标题 ：
类单晶晶体品质评估方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114577757A
申请号 ：
CN202011292055.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王全志陈伟李林东唐珊珊张光春
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
北京景闻知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱鸿雁
优先权 ：
CN202011292055.6
主分类号 ：
G01N21/63
IPC分类号 ：
G01N21/63
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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