制造高品质大尺寸碳化硅晶体的方法
授权
摘要
本发明是对在籽晶升华系统中制造高品质碳化硅体单晶的方法的改良。在第一实施方案中，该改良包括通过在晶体生长的最初的一(1)毫米中引入高浓度的氮原子来减少生长晶体中的宏观台阶的数量。
基本信息
专利标题 ：
制造高品质大尺寸碳化硅晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101072901A
申请号 ：
CN200580042153.1
公开（公告）日 ：
2007-11-14
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·鲍威尔V·F·采夫科夫M·布拉迪R·T·莱昂纳德
申请人 ：
克里公司
申请人地址 ：
美国北卡罗莱纳
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李帆
优先权 ：
CN200580042153.1
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2012-09-26 ：
授权
2008-01-09 ：
实质审查的生效
2007-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
