一种碳化硅晶体的制造方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种碳化硅晶体的制造方法及装置，其属于晶体生长技术领域，碳化硅晶体的制造方法包括采用溶液生长法在碳化硅籽晶的硅面偏轴生长碳化硅晶体，得到预制晶体，所述偏轴生长是指所述碳化硅籽晶的生长面与形成的所述碳化硅晶体的{0001}面具有夹角；对所述预制晶体进行切割，并得到优质籽晶；采用溶液生长法在所述优质籽晶的碳面生长碳化硅晶体，得到最终碳化硅晶体。本发明提供的碳化硅晶体的制造方法及装置制造得到的碳化硅晶体存在较少的微管，且能够大幅减少螺型位错和刃型位错，还能够减少基面位错，进而能够保证碳化硅器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶体的制造方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481316A
申请号 ：
CN202210100984.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭超母凤文
申请人 ：
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请人地址 ：
北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
王士强
优先权 ：
CN202210100984.5
主分类号 ：
C30B27/02
IPC分类号 ：
C30B27/02 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
C30B27/02
自熔融液的提拉法
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 27/02
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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