一种单晶晶体
授权
摘要
本实用新型揭露了一种单晶晶体，其包括等径段与收尾段，所述收尾段包括与所述等径段尾端一体连接的第一段以及一体连接于所述第一段尾端的第二段，所述第一段的直径与等径段的直径相等，或，所述第一段与等径段的直径的差值在±3mm以内，从而收尾段的第一段符合合格晶体直径要求，可和等径段一起作为合格晶体使用，从而大大提高了原材料利用率，大大降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021561844.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN213232571U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
刘学杨瑞峰王建宇薛晔龙张鸿宇赵欣宇郭志荣石鑫吴树飞赵国伟谷守伟王林
申请人 ：
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202021561844.0
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B29/60 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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