半导体籽晶晶向测量工装
授权
摘要
一种半导体籽晶晶向测量工装，包括上部盖体、下部盖体，上部盖体与下部盖体铰接，上部盖体的一端设置有上部基准端面，上部盖体的内部开设有上部籽晶卡槽，下部盖体的一端设置有下部基准端面，下部基准端面与上部基准端面处于同侧，下部盖体上与上部籽晶卡槽相对应的位置开设有下部籽晶卡槽；本实用新型通过将籽晶夹持固定在上部籽晶卡槽及下部籽晶卡槽内，从而可以将籽晶固定，使光源可以在照射籽晶时，光源入设点固定不变，重复性稳定性变好；在将籽晶安放到上部籽晶卡槽及下部籽晶卡槽内，并固定放好后，人员不需要接触，就可以进行测量，不会造成射线对人员的辐射伤害。
基本信息
专利标题 ：
半导体籽晶晶向测量工装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020598940.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-20
授权号 ：
CN212134528U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
赵延祥刘波程博历莉马玉怀
申请人 ：
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 ：
宁夏合天律师事务所
代理人 ：
孙彦虎
优先权 ：
CN202020598940.6
主分类号 ：
G01N23/02
IPC分类号 ：
G01N23/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/02
通过使辐射透过材料
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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