一种籽晶夹头及单晶拉晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及一种籽晶夹头及单晶拉晶炉，所述籽晶夹头包括圆柱部以及连接于圆柱部下方的倒锥台部，所述籽晶夹头的外周壁上开设有多个导流槽，多个所述导流槽自所述籽晶夹头的上端面贯通至下端面。所述导流槽呈螺旋状设于所述籽晶夹头的外周壁上，多个所述导流槽在所述籽晶夹头的外周壁上沿周向均匀分布。本实用新型提供的籽晶夹头，通过在籽晶夹头的外周壁上开设多个导流槽，减小了氩气气流的阻力，达到了增加风量的目的，使得籽晶夹头下方的进气量增加，减小内旋气流的产生，达到减轻籽晶发彩、氧化以及附着挥发物的目的，提高了籽晶的使用寿命，同时，还能够提高单晶生长速度和生长成功率。
基本信息
专利标题 ：
一种籽晶夹头及单晶拉晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922069696.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN211713249U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
任杰冉瑞应杨东金雪
申请人 ：
银川隆基硅材料有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号
代理机构 ：
北京工信联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
白晓晰
优先权 ：
CN201922069696.4
主分类号 ：
C30B15/32
IPC分类号 ：
C30B15/32 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/32
籽晶夹持器，例如籽晶夹头
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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