自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、单晶炉系统
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摘要
本实用新型提供一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构，设于单晶炉副室的顶端，包括连接装置和定位装置，连接装置的一端与单晶炉副室连接，连接装置的另一端与定位装置连接；以及，定位装置两端均与外界连通，且定位装置与副室同轴设置，以便于对籽晶进行定位、稳定。一种自动稳定籽晶的单晶炉系统，包括上述的自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、籽晶提升装置和控制装置，定位机构设于单晶炉副室上部，籽晶提升装置穿过定位机构设于单晶炉副室内，控制装置与籽晶提升装置电连接，籽晶提升装置在控制装置的作用下，进行上升，并在定位机构的作用下对籽晶进行定位、稳定。本实用新型的有益效果是应用于直拉单晶过程中，能够在直拉单晶过程中对籽晶进行稳定，使得籽晶稳定这一过程实现自动进行，实现籽晶的自动稳定，降低了劳动的强度，提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、单晶炉系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020649299.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212476948U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
赵国伟王林高润飞谷守伟王建平周泽杨志吴树飞刘振宇郝瑞军刘学皇甫亚楠杨瑞峰张红霞郭志荣钟旭
申请人 ：
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202020649299.4
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B15/32 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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