一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置
专利权的终止
摘要

一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,由外承压密闭容器和内反应罐组成;内反应罐由罐盖、罐体和搁置架构成;罐体和罐盖为螺纹连接的封闭容器;搁置架为半圆筒形结构,在半圆筒的内壁开出间距相等的搁置槽,搁置架的顶部设有可方便移动搁置架的卡入式横梁;内反应罐的所有部件均由聚四氟乙烯制成;外承压密闭容器可使用市售符合国家标准的炊用压力锅。本实用新型的优点是结构简单、操作简便、安全可靠;内反应罐的连接方式使其密封效果更好;外承压密闭容器承压要求较低,可直接使用市售符合国家标准的炊用压力锅进行操作,大大降低生产成本;采用该搁置架可大大提高反应效率,实现硅晶片加工的规模化生产。

基本信息
专利标题 :
一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720305900.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-11-23
授权号 :
CN201151741Y
授权日 :
2008-11-19
发明人 :
赵嘉昊邓飞
申请人 :
国家纳米技术与工程研究院
申请人地址 :
300457天津市经济技术开发区第四大街80号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200720305900.2
主分类号 :
C23C16/44
IPC分类号 :
C23C16/44  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2017-01-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101697379657
IPC(主分类) : C23C 16/44
专利号 : ZL2007203059002
申请日 : 20071123
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20151123
2008-11-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332