形成沉积膜的方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明涉及功能性膜的形成方法，特别是对半导体器件，电光摄象的光敏器件诸如光学成像输入装置的入射光感光器件之类电子元件等有用的功能性沉积膜的形成方法。它包括向反应区通入形成沉积膜的原料气和对所述原料有氧化性的气态卤素氧化剂以使它们之间化学接触，以形成含有大量处于激发态初级粒子的多种初级粒子，至少使用这些初级粒子中的一种作为沉积膜组成元素的料源在成膜区中的基体上形成沉积膜。本发明还披露了其它形成沉积膜的方法。
基本信息
专利标题 ：
形成沉积膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86107141A
申请号 ：
CN86107141.7
公开（公告）日 ：
1987-06-10
申请日 ：
1986-10-22
授权号 ：
CN1015008B
授权日 ：
1991-12-04
发明人 ：
石原俊一半那纯一清水勇
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
陈季壮
优先权 ：
CN86107141.7
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/24 C23C16/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2002-06-05 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1992-09-02 ：
授权
1991-12-04 ：
审定
1989-03-15 ：
实质审查请求
1987-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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