形成功能沉积膜的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
向成膜空间引入成膜材料化合物，如果需要引入含能控制沉积膜价电子的元素的化合物，形成半导体功能沉积膜，每一化合物处于气态或至少一种化合物是激活态，同时形成激发态氢原子，与成膜空间的气态的或激活空间中的激活态化合物发生化学反应，在基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中与两个阻抗匹配回路结合的共振腔中的等离子体产生室产生的微波等离子，从氢气或氢气与惰性气体的混合气体中形成激发态氢原子，并且其激发态受到控制。
基本信息
专利标题 ：
形成功能沉积膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1039680A
申请号 ：
CN89100622.2
公开（公告）日 ：
1990-02-14
申请日 ：
1989-02-01
授权号 ：
CN1031088C
授权日 ：
1996-02-21
发明人 ：
新井孝至金井正博川上総一郎村上勉
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
刘建国
优先权 ：
CN89100622.2
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/00 C23C16/24
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2009-04-08 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1996-02-21 ：
授权
1991-05-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-02-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1031088C.PDF
PDF下载
2、
CN1039680A.PDF
PDF下载
