膜形成方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及膜形成方法，更详细地说，是涉及使附着性差的膜牢固地粘附在基板上的方法。该方法包括：将对基板附着性差的第1膜形成在该基板上的工艺，在上述第1膜上设置到达上述基板表面的高密度细微孔的工艺，在上述多孔性第1膜上形成对上述基板附着性高的第2膜从而将多孔性第1膜紧固在基板上的工艺。按照本发明，可将附着性差的，以前不便使用的贵金属膜粘附在各种物品上，形成文字或图案，赋于装饰品以豪华形象。
基本信息
专利标题 ：
膜形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1055398A
申请号 ：
CN90106054.2
公开（公告）日 ：
1991-10-16
申请日 ：
1990-12-14
授权号 ：
CN1027087C
授权日 ：
1994-12-21
发明人 ：
仲间宏
申请人 ：
大和化工株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县大和市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨丽琴
优先权 ：
CN90106054.2
主分类号 ：
C23C26/00
IPC分类号 ：
C23C26/00 C23C28/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C26/00
不包含在C23C2/00至C23C24/00各组中的镀覆
法律状态
1998-02-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-12-21 ：
授权
1991-10-16 ：
公开
1991-05-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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