一种金属纳米线透明电极及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种金属纳米线透明电极及其制备方法。该方法包括：通过在两块基底间置入隔膜形成狭缝空间，将金属纳米线分散液经填充口注入狭缝空间中，在干燥过程中金属纳米线均匀沉积在下基底上形成金属网格透明导电薄膜。本发明的金属纳米线浆料的利用率可大于95％，制备的金属纳米线网格透明电极的方块电阻在2～100Ω/sq，透光率为65～91％。本发明透明电极的制备工艺简单、原料利用率高、成本低、产品质量高，适合于大规模工业化制备刚性或柔性透明电极。所制备的金属纳米线透明电极可替代FTO、ITO导电基底，在太阳能电池、发光显示、光电子器件等领域具有一定的应用前景。

基本信息

专利标题：

一种金属纳米线透明电极及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113689974A

申请号：

CN202110815861.5

公开（公告）日：

2021-11-23

申请日：

2021-07-19

授权号：

CN113689974B

授权日：

2022-06-10

发明人：

傅年庆李育峰李培育杜军张果戈

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

广东省广州市天河区五山路381号

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司

代理人：

何淑珍

优先权：

CN202110815861.5

主分类号：

H01B5/14

IPC分类号：

H01B5/14 H01B13/00