页面缓存器和包括页面缓存器的非易失性半导体存储器
授权
摘要

在一方面,提供了一种可在编程模式和读出模式中操作的非易失性存储器设备。该存储器设备包括具有多个非易失性存储器单元、多条字线、和多条位线的存储器单元阵列。该存储器设备还包括用于输出从存储器阵列的位线读出的数据的内部数据输出线、和可操作性地连接在存储器单元阵列的位线和内部数据输出线之间的页面缓存器。该页面缓存器包括选择性地连接到位线的检测节点、具有选择性地连接到检测节点的锁存节点的锁存电路,在编程模式和读出模式中设置锁存节点的逻辑电压的锁存输入路径、和从锁存输入路径分离并且根据锁存节点的逻辑电压设置内部数据输出线的逻辑电压的锁存输出路径。

基本信息
专利标题 :
页面缓存器和包括页面缓存器的非易失性半导体存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1779859A
申请号 :
CN200510108634.X
公开(公告)日 :
2006-05-31
申请日 :
2005-10-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李城秀林瀛湖赵显哲蔡东赫
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
吕晓章
优先权 :
CN200510108634.X
主分类号 :
G11C16/06
IPC分类号 :
G11C16/06  G06F12/00  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路,例如:用于写入存储器的
法律状态
2009-08-12 :
授权
2006-07-26 :
实质审查的生效
2006-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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