页面缓存器和包括页面缓存器的多状态非易失性存储设备

授权

摘要

一种存储器单元阵列包括连接到多个非易失性存储器单元的位线，其中所述非易失性存储器单元可选择性地编程为至少是第一、第二、第三和第四阈值电压状态中的一个，并且其中第一、第二、第三和第四阈值电压状态对应于由第一和第二位定义的四个不同的数据值。页面缓存器电路存储逻辑值作为主锁存数据，并且其响应主锁存信号而根据位线的电压电平选择性地翻转主锁存数据的逻辑值。副锁存电路存储逻辑值作为副锁存数据，并且其响应副锁存信号而根据位线的电压电平选择性地翻转副锁存数据的逻辑值。所述存储设备可在读出模式和编程模式中操作，其中所述页面缓存器电路选择性地响应副锁存数据，禁止在编程模式中翻转主锁存数据的逻辑值。

基本信息

专利标题：

页面缓存器和包括页面缓存器的多状态非易失性存储设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1779860A

申请号：

CN200510108637.3

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-10-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李城秀林瀛湖赵显哲蔡东赫

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

吕晓章

优先权：

CN200510108637.3

主分类号：

G11C16/06

IPC分类号：

G11C16/06 G06F12/00