一种钛酸锶系半导体陶瓷电容器的制造方法
公开
摘要
一种其介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的边界层型钛酸锶系半导体陶瓷电容器的制造方法。该电容器有一个由该钛酸锶系组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面涂上主要含锌和铝粉的导电糊料，经烘焙形成为有第一导电层，再在第一导电层上涂上主要含铜粉的导电糊料，经烘焙形成为第二导电层。
基本信息
专利标题 ：
一种钛酸锶系半导体陶瓷电容器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1050464A
申请号 ：
CN90108581.2
公开（公告）日 ：
1991-04-03
申请日 ：
1987-07-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小野秀一坂垣秋一矢作正博古川喜代志藤原忍及川泰钟
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN90108581.2
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12 H01G1/01
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
1991-04-03 ：
公开
1991-03-13 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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