一种钛酸锶系半导体陶瓷组合物及所制造的电容器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的钛酸锶系半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该组合物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为组合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。
基本信息
专利标题 ：
一种钛酸锶系半导体陶瓷组合物及所制造的电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87105776A
申请号 ：
CN87105776.X
公开（公告）日 ：
1988-02-24
申请日 ：
1987-07-29
授权号 ：
CN1011838B
授权日 ：
1991-02-27
发明人 ：
小野秀一板垣秋一矢作正博古川喜代志藤原忍及川泰伸
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN87105776.X
主分类号 ：
H01B3/12
IPC分类号 ：
H01B3/12 C04B35/46 H01G4/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B3/00
按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择
H01B3/02
主要由无机物组成的
H01B3/12
陶瓷
法律状态
2000-09-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-12-04 ：
授权
1991-02-27 ：
审定
1989-11-29 ：
实质审查请求
1988-02-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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