纳米晶软磁合金薄膜材料及其制备方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明属于软磁合金领域，本发明提供了一种纳米晶软磁合金薄膜材料，包括金属铁薄膜、铁镍合金薄膜、铁钴合金薄膜、铁镍钴合金薄膜。所述薄膜的厚度在5～100μm，晶粒尺寸在30nm～120nm。其制造方法是在含有待沉积金属离子的电解液中通过直流电沉积的方式制备纳米软磁合金薄膜。通过控制纳米晶软磁薄膜的制备工艺参数，即调整电沉积过程中的电流密度、电沉积时间以及电解液的pH值等，可以获得高饱和磁感应强度、低矫顽力的纳米软磁薄膜材料。本发明制备的纳米晶软磁合金薄膜材料适用于高频交变磁场环境中工作的各种电子器件以及低频屏蔽领域。

基本信息

专利标题：

纳米晶软磁合金薄膜材料及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1794374A

申请号：

CN200510127811.9

公开（公告）日：

2006-06-28

申请日：

2005-12-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

孙克韩伟刘天成卢志超李德仁刘辉周少雄

申请人：

钢铁研究总院;安泰科技股份有限公司

申请人地址：

100081北京市海淀区学院南路76号

代理机构：

北京中安信知识产权代理事务所

代理人：

金向荣

优先权：

CN200510127811.9

主分类号：

H01F1/147

IPC分类号：

H01F1/147 H01F1/16 C25D1/04