TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法
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摘要
本发明涉及一种TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法，操作步骤，（1）将背刻蚀清洗后的硅片放到载板上进行预热，（2）通入SiH4和N2O或O2作为反应气体，利用交流射频电源产生等离子体，SiH4和N2O反应进行氧化硅薄膜沉积；（3）通入氮气和氢气，并在等离子体激发条件下进行氢化处理；（4）氧化硅薄膜经过氢化处理之后，通入硅烷，在等离子体作用下进行本征非晶硅的沉积；（5）沉积完之后，通入硅烷和磷烷进行原位掺杂非晶硅的沉积，使得从内层到外层每层掺杂非晶硅的磷浓度逐渐降低，直到沉积完成最终所需的非晶硅膜层厚度。采用这种方式达到所需掺杂浓度同时避免了磷原子或硼原子穿透氧化层造成的硅基过度掺杂。
基本信息
专利标题 ：
TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112420881A
申请号 ：
CN202011302874.4
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
CN112420881B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
丁建宁李云鹏李绿洲叶枫王书博刘玉巧袁宁一上官泉元
申请人 ：
常州大学;江苏大学
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区湖塘滆湖中路21号
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王敏
优先权 ：
CN202011302874.4
主分类号 ：
H01L31/20
IPC分类号 ：
H01L31/20 H01L31/0216
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法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/20
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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