包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构。一种结构包括：半导体衬底；以及位于半导体衬底之上的多晶电阻器区。多晶电阻器区包括多晶形态的半导体材料。含掺杂剂的多晶区位于多晶电阻器区和半导体衬底之间。
基本信息
专利标题 ：
包括下方具有含掺杂剂的多晶区的多晶电阻器的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335340A
申请号 ：
CN202111133077.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
Y·T·尼古S·P·阿杜苏米利S·M·尚克M·J·齐拉克M·H·余
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林莹莹
优先权 ：
CN202111133077.2
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/13 H01L21/84
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20210927
申请日 : 20210927
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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