一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器
授权
摘要
本实用新型提供一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，本实用新型在石墨电阻加热器本体的顶部一体设置有厚度逐渐减小的减薄部，导致顶部阻值增大，从而发热量增加，加热器顶部较大的发热量加大对熔体液面的辐射，增强熔体自上而下的对流，加大杂质向熔体中的扩散，能够有效避免高浓度掺杂剂在熔体中的聚集，避免组分过冷，从而提高8英寸N型超低阻单晶制备的成晶率及整棒率。本实用新型整体装置的结构简单、操作方便、安全可靠，有效的化解了现有加热器在制备8英寸N型超低阻单晶时存在的不足。
基本信息
专利标题 ：
一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121550617.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-09
授权号 ：
CN216192873U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
吴彦国马武祥令狐铁兵张倩李战国王智航
申请人 ：
麦斯克电子材料股份有限公司
申请人地址 ：
河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号
代理机构 ：
洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
李现艳
优先权 ：
CN202121550617.2
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B15/04 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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