硅低温掺氟氧化方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是半导体工艺中的种掺氟、低温硅氧化方法，属于集成电路工艺中在半导体硅材料上生长二氧化硅绝缘层的技术。本发明采用液态含氟试剂为掺氟源，由携带气体携带，氧气稀释，利用常规热氧化炉实现掺氟、低温800℃或低于800℃硅氧化、此外，本发明还采用了抗氟腐蚀的全塑气体系统。因此，避免了系统腐蚀，又获得了优于或相当于高温氧化的优质硅氧化层，为大规模和超大规模集成电路的发展提供了一种简单、方便的低温氧化方法。
基本信息
专利标题 ：
硅低温掺氟氧化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1033545A
申请号 ：
CN87101143.3
公开（公告）日 ：
1989-06-28
申请日 ：
1987-12-17
授权号 ：
CN1008854B
授权日 ：
1990-07-18
发明人 ：
龙伟徐元森郑养
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
沈德新
优先权 ：
CN87101143.3
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/469
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
1993-04-21 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-07-31 ：
授权
1990-07-18 ：
审定
1989-06-28 ：
公开
1988-12-21 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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