硅构件及其制造方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。
基本信息
专利标题 ：
硅构件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819119A
申请号 ：
CN200610008940.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
森谷正孝鹿岛一日儿宫野真一
申请人 ：
东芝陶瓷株式会社;东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200610008940.0
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/311 H01L21/3213 H01L21/00 C23F1/00 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2016-05-04 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101731697679
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006100089400
变更事项 : 专利权人
变更前 : 科发伦材料株式会社
变更后 : 阔斯泰公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都品川区大崎一丁目6番3号
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 东京毅力科创株式会社
变更后 : 东京毅力科创株式会社
号牌文件序号 : 101731697679
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006100089400
变更事项 : 专利权人
变更前 : 科发伦材料株式会社
变更后 : 阔斯泰公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都品川区大崎一丁目6番3号
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 东京毅力科创株式会社
变更后 : 东京毅力科创株式会社
2008-07-30 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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