一种具有负电阻温度系数的单晶硅热敏电阻器及其制造方法
专利权的终止
摘要
热敏电阻器及其制造方法本发明提供一种具有负电阻温度系数的单晶硅热敏电阻器及其制造方法。其主要特点是采用在P型单晶硅中掺入金、铂两种杂质的方法，使电阻呈现负温度特性，其B值为3850K，B值的偏差分布小于±0.3％，使用温区为-50℃～100℃之间。由于该电阻元件的B值适中，互换性能好，又易制作，成本低廉，不失为一种用于配制具有经性输出的线性组件的理想元件。并可广泛适用于医疗仪器、食品工业、家用电器等行业的测温、控温等实用技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种具有负电阻温度系数的单晶硅热敏电阻器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87103486A
申请号 ：
CN87103486.7
公开（公告）日 ：
1988-01-13
申请日 ：
1987-05-07
授权号 ：
CN87103486B
授权日 ：
1988-08-10
发明人 ：
韦风辉李国华柳培立
申请人 ：
中国科学院新疆物理研究所
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京路
代理机构 ：
中国科学院新疆专利事务所
代理人 ：
王蔚
优先权 ：
CN87103486.7
主分类号 ：
H01C7/04
IPC分类号 ：
H01C7/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/04
具有负温度系数的
法律状态
1990-09-12 ：
专利权的终止
1989-10-25 ：
授权
1988-08-10 ：
审定
1988-01-13 ：
公开
1987-10-14 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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